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不本高b）在横向界面的SnS侧获得的纳米光束衍射图案（面板a中的b位置）。独居【引言】二维晶体的出现为材料集成提供了特殊的机会。

图3多层GeS-SnS异质结构横向界面的纳米束衍射分析a）具有代表性的多层GeS-SnS异质结构的平视HAADF-STEM图像，生活GeS盖层在SnS中心的厚度很小。龄老放大图像中的比例尺：5µm。开始d）多层GeS-SnS异质结构的典型集合。

阴极发光光谱为电子-空穴对在横向界面上的转移提供了证据，故意表明共价拼接具有高电子质量和低密度的复合中心。进监图6 利用纳米STEM-CL发光光谱表征横向界面电荷转移a）GeS-SnS多层异质结构的HAADF-STEM图像。

g）外围的拉曼光谱（e中的虚线g），犯罪显示GeS振动模式。

忍受日人们e）异质结构外围GeS区获得的CL谱。中国科学院院士、不本高发展中国家科学院(TWAS)院士和英国皇家化学会荣誉会士(HonFRSC)。

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